Tại MWC 2016 diễn ra ở Barcelona (Tây Ban Nha) vừa qua,ôngnghệsạcnhanhQuickChargecủaQualcommcómặttrênnhiềngày dưới hôm nay nhà sản xuất chip di động Qualcomm đã trình diễn nhiều công nghệ mới của hãng, từ vi xử lý, nền tảng Snapdragon Wear dành cho thiết bị đeo, đến công nghệ mạng 5G, IoT... Bên cạnh chip di động cao cấp Snapdragon 820 vốn đã quá nổi tiếng, một công nghệ mới cũng rất đáng chú ý của Qualcomm là sạc nhanh Quick Charge 3.0.

Quick Charge 3.0 là phiên bản mới của công nghệ sạc nhanh do Qualcomm phát triển, kế nhiệm cho Quick Charge 2.0 vốn đã có mặt trên 40 thiết bị di động và hơn 20 phụ kiện. Quick Charge phiên bản mới đã được trang bị cho một số mẫu điện thoại và máy tính bảng hàng đầu tại MWC lần này, chẳng hạn như Samsung Galaxy S7, S7 Edge và LG G5... Theo công bố Qualcomm, công nghệ của hãng hiện được tích hợp trên các chip Snapdragon 820, 620, 618, 617 và 430.

Tốc độ sạc của Quick Charge 3.0 nhanh hơn 2.0 tới 38%, nhanh hơn gấp đôi so với Quick Charge 1.0 và nếu so với các củ sạc truyền thống thì nó nhanh hơn tới 85%. Không chỉ sạc nhanh hơn, Quick Charge 3.0 cũng rất tiết kiệm năng lượng nhờ ứng dụng công nghệ INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). Công nghệ này cho phép các thiết bị có thể yêu cầu đúng mức điện năng mà nó cần. Nếu như Quick Charge 2.0 chỉ cấp năng lượng ở các mức điện năng 5V, 9V, 10V và 20V, thì Quick Charge 3.0 có thể chia nhỏ các mức này xuống còn 200mV, trải dài từ 3,6V đến 20V, giúp cho củ sạc tiết kiệm được nhiều năng lượng hơn.

(责任编辑：Thời sự)